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PJX8839_R1_00001

2个P沟道耐压:60V 电流:200mA

品牌名称: PANJIT(强茂)
商品型号: PJX8839_R1_00001
商品编号: C17286651
商品封装: SOT-563
包装方式: 编带
商品毛重: 0.024克(g)

商品参数

商品概述

SAB MOSFET采用经过生产验证的EPAD技术制造，旨在解决串联连接的超级电容器的电压和漏电流平衡问题。通过在每个超级电容器组两端连接一个或多个器件的组合，可以对串联连接的超级电容器进行漏电流平衡，以防止过电压。 ALD810028为四个SAB MOSFET器件中的每一个提供了一组独特、精确的工作电压和电流特性，可用于平衡多达四个串联连接的超级电容器。ALD910028为其两个SAB MOSFET器件中的每一个都有一组独特的精确工作电气特性，适用于多达两个串联连接的超级电容器。每个SAB MOSFET在Vt模式下都具有精确的栅极阈值电压。不同的VIN会产生输出电流IOUT = IDS(ON)特性，并形成一个有效可变电阻，其阻值随VIN呈指数变化。当这个VIN连接到串联的每个超级电容器两端时，可将每个超级电容器的电压和电流平衡在其限制范围内。当连接在超级电容器两端时，ALD810028/ALD910028的导通电阻的电压相关特性可有效控制超级电容器两端的过电压上升。在串联连接的超级电容器组中，连接在这些超级电容器两端的SAB MOSFET会呈现互补的反向电流水平，除了超级电容器自身产生的漏电流外，几乎不会产生额外的漏电流。

商品特性

栅源电压(VGS)为 -10V、漏极电流(ID)为 -500mA 时,导通电阻 [RDS(ON)] 小于 4Ω
栅源电压(VGS)为 -4.5V、漏极电流(ID)为 -200mA 时,导通电阻 [RDS(ON)] 小于 6Ω
栅源电压(VGS)为 -2.5V、漏极电流(ID)为 -50mA 时,导通电阻 [RDS(ON)] 小于 13Ω
先进的沟槽工艺技术
专为继电器驱动、高速线路驱动等设计
符合欧盟 RoHS 2.0 标准的无铅产品
采用符合 IEC 61249 标准的环保模塑化合物

应用领域

串联超级电容器单元的漏电流平衡-能量收集-带超级电容器输出的长期备用电池-选定电压下的零功耗分压器-匹配的电流镜和电流源-零功耗模式下的最大电压限制器-可扩展的超级电容器组和阵列

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	2个P沟道
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	200mA
	导通电阻(RDS(on))	13Ω@2.5V
	耗散功率(Pd)	300mW
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	1.1nC@4.5V
	输入电容(Ciss)	51pF
	反向传输电容(Crss)	0.2pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	P沟道
	输出电容(Coss)	15pF