- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
APTGLQ75H120T3G
高速沟槽+场截止IGBT4功率模块，具有低电压降、低漏电流、低开关损耗等特点，适用于焊接转换器、开关电源等
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APTGLQ75H120T3G
- 商品编号
- C17280636
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 385W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 130A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 250A | |
| 集电极截止电流(Ices) | 50uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.05V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 325nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 4.4nF@25V | |
| 输出电容(Coes) | 250pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 235pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 30ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 290ns | |
| 导通损耗(Eon) | 5.5mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 2.05mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 300ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- 高速沟槽+场截止 IGBT 4
- 低压降
- 低漏电流
- 低开关损耗
- 开尔文发射极，便于驱动
- 极低的杂散电感
- 内置热敏电阻，用于温度监测
- 所有多路输入和输出必须短接在一起，例如：13/14；29/30；22/23 …
- 在高频操作下具有出色的性能
- 可直接安装到散热器上（隔离封装）
- 低结到外壳热阻
- 电源和信号引脚均可焊接，便于 PCB 安装
- 低外形
- 由于 VCEsat 的正温度系数，易于并联
- 每个支路可轻松并联，以实现两倍电流能力的相支路
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 焊接转换器
- 开关模式电源
- 不间断电源
- 电机控制
- APTGT200DU120G
- 1027609
- SIT1602BC-21-XXN-66.666000
- 2C3902-MSCL
- 936000464
- MS27501Z11CM
- MDM-51PSM7
- 0040-1-17-15-30-14-02-0
- 3116-3-00-34-00-00-08-0
- SIT8208AI-31-33S-72.000000
- 61.117.11
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- 46C3448-C
- 2016480030
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- R307040F
- PT00SE14-19S-SR-LC