APT60GA60JD60

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品牌名称: MICROCHIP(美国微芯)
商品型号: APT60GA60JD60
商品编号: C17283410
商品封装: SOT-227B-4
包装方式: 管装
商品毛重: 43.536克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	IGBT管/模块
	IGBT类型	PT(穿通型)
	耗散功率(Pd)	356W
	集射极击穿电压(Vces)	600V
	集电极电流(Ic)	112A
	集电极脉冲电流(Icm)	178A
	集电极截止电流(Ices)	-
	集射极饱和电压(VCE(sat))	1.9V；2V
	栅极阈值电压(Vge(th))	2.5V@15V,62A
	栅极电荷量(Qg)	296nC@15V

	属性	参数值
	输入电容(Cies)	8.01nF@25V
	输出电容(Coes)	714pF
	反向传输电容(Cres)	74pF
	开启延迟时间(Td(on))	33ns；35ns
	关断延迟时间(Td(off))	214ns；175ns
	导通损耗(Eon)	1.995mJ；1.45mJ
	关断损耗(Eoff)	1.76mJ；1.255mJ
	反向恢复时间(Trr)	80ns；140ns；160ns；70ns
	工作温度	-55℃~+150℃@(Tj)

商品概述

APT60GA60JD60 是一款高速穿通型开关模式绝缘栅双极型晶体管。通过领先的硅片设计和寿命控制工艺实现了低关断损耗 E_off。降低的 E_off ~ V_CE(ON) 权衡关系使其相比其他绝缘栅双极型晶体管技术具有更高的效率。低栅极电荷以及大幅降低的 C_res / C_ies 比值提供了出色的抗噪能力、短延迟时间和简单的栅极驱动。多晶硅栅极结构的本征芯片栅极电阻和电容有助于控制开关期间的 di/dt，从而实现低电磁干扰，即使在高频开关时也是如此。该器件结合了绝缘栅双极型晶体管和二极管。

商品特性

快速开关且电磁干扰低
极低的 E_off，实现最高效率
超低的 C_res，改善抗噪能力
低导通损耗
低栅极电荷
增加的本征栅极电阻以降低电磁干扰
符合 RoHS 标准

应用领域

零电压开关相移全桥及其他全桥拓扑
半桥拓扑
大功率功率因数校正升压电路
焊接设备
不间断电源、太阳能及其他逆变器
高频、高效率工业应用

数据手册PDF

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