商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5kW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 6.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | 共源 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 400pF |
商品概述
适用于基站应用的550 W LDMOS封装非对称Doherty功率晶体管，工作频率范围为1805 MHz至1880 MHz。
商品特性
-高性能功率射频封装。-极高的击穿电压,增强耐用性。-低热阻。-采用氮化物钝化芯片,提高可靠性。-符合RoHS标准
应用领域
-科学领域射频功率发生器及放大器应用-商业领域射频功率发生器及放大器应用-医疗领域射频功率发生器及放大器应用-工业领域射频功率发生器及放大器应用