商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 4个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 277W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 180nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.507nF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 |
商品特性
-超结MOSFET-超低导通电阻RDSon-低米勒电容-超低栅极电荷-雪崩能量额定-坚固耐用-开尔文源极,易于驱动-极低杂散电感-内置热敏电阻用于温度监测-高频运行时性能卓越-可直接安装到散热器上(隔离封装)-结到外壳的热阻低-电源和信号引脚均可焊接,便于PCB安装-薄型设计-每条支路可轻松并联,实现电流能力翻倍的相支路-符合RoHS标准
应用领域
-焊接转换器-开关模式电源-不间断电源
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