ALD810030SCLI
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 4个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 10.6V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.02V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 15pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
ALD810030/ALD910030是ALD8100xx（四通道）和ALD9100xx（双通道）超级电容器自动平衡MOSFET（即SAB™ MOSFET）系列的新增成员。SAB MOSFET采用经过生产验证的EPAD®技术制造，旨在解决串联连接的超级电容器的电压和漏电流平衡问题。超级电容器，也称为超电容器或超级电容，通过在每个超级电容器组两端连接一个或多个器件的组合来实现串联连接时的漏电流平衡，以防止过压。 ALD810030为四个SAB MOSFET器件中的每一个提供了一组独特、精确的工作电压和电流特性。它可用于平衡多达四个串联连接的超级电容器。ALD910030为其两个SAB MOSFET器件中的每一个都有自己独特的精确工作电气特性，适用于多达两个串联连接的超级电容器。 每个SAB MOSFET在Vt模式下具有精确的栅极阈值电压，当栅 - 漏源极端子（VGS = VDS）在漏源电流IDS(ON) = 1μA时连接在一起时，该电压为3.00V。在这种模式下，输入电压VIN = VGS = VDS。不同的VIN会产生输出电流IOUT = IDS(ON)特性，并形成一个有效可变电阻，其阻值随VIN呈指数变化。当这个VIN施加在串联的每个超级电容器两端时，可将每个超级电容器的电压和电流平衡在其限制范围内。 当向ALD810030/ALD910030施加VIN = 3.00V时，其IOUT为1μA。当VIN增加100mV至3.10V时，IOUT大约增加十倍。对于ALD910030，当VIN进一步增加到3.22V（ALD810030为3.24V）时，IOUT增加一百倍，达到100μA。相反，当VIN降低100mV至2.90V时，IOUT降至其先前值的十分之一，即0.1μA。输入电压再降低100mV，IOUT将降至0.01μA。因此，当将ALD810030/ALD910030 SAB MOSFET连接到充电至低于2.80V的超级电容器两端时，它基本上不消耗功率。 ALD810030/ALD910030导通电阻的电压相关特性在控制连接在超级电容器两端时的过电压上升方面非常有效。在串联连接的超级电容器组中，当一个超级电容器的电压升高时，其他超级电容器的电压会下降，漏电流最大的超级电容器电压最低。连接在这些超级电容器两端的SAB MOSFET会呈现互补的反向电流水平，除了超级电容器本身产生的漏电流外，几乎不会产生额外的漏电流。
商品特性
- 使用简单且经济
- 工厂精确微调
- 自动调节和平衡漏电流
- 有效实现超级电容器充电平衡
- 单个IC封装可平衡多达4个超级电容器
- 可平衡2节、3节、4节串联的超级电容器
- 可扩展至更大的超级电容器组和阵列
- 几乎零额外漏电流
- 在额定电压以下0.3V时零漏电流
- 可平衡串联和/或并联连接的超级电容器
- 漏电流是单体电压的指数函数
- 工作电流范围从< 0.3nA到>1000\mu A
- 始终处于工作状态,响应时间快
- 最小化漏电流和功耗
应用领域
-串联超级电容器单体漏电流平衡-能量收集-带超级电容器输出的长期备用电池-选定电压下的零功率分压器-匹配的电流镜和电流源-零功率模式下的最大电压限制器-扩展的超级电容器组和阵列