ALD212900A/ALD212900精密N沟道EPAD MOSFET阵列采用成熟的EPAD CMOS技术在工厂进行了精密匹配。这些双单片器件是ALD110900A/ALD110900 EPAD MOSFET系列的增强型产品,具有更高的正向跨导和输出电导,特别是在非常低的电源电压下。
ALD212900A/ALD212900适用于低电压、低功耗的小信号应用,其特点是零阈值电压,这使得在增强的工作电压范围内,输入/输出信号以地为参考的电路设计成为可能。使用这些器件,可以构建多级级联电路,使其在极低的电源/偏置电压水平下工作。例如,使用这些器件已成功构建了一个工作电源电压低于0.2V的微功耗输入放大器级。
ALD212900A EPAD MOSFET的特点是,栅极阈值电压VGS(th)精确设置在0.00V ±0.01V,IDS = +20\mu A @ VDS = 0.1V,典型失调电压仅为±0.001V(1mV),具有出色的配对器件电气特性。它们基于单块芯片构建,还具有出色的温度跟踪特性。这些精密器件作为设计组件用途广泛,适用于各种模拟小信号应用,如电流镜、匹配电路、电流源、差分放大器输入级、传输门和多路复用器的基本构建模块。它们在有限工作电压应用中也表现出色,如极低电平电压钳位和微功耗常通电路。
除了精密匹配的配对电气特性外,每个单独的EPAD MOSFET还具有良好的可控制造特性,使用户能够依赖不同生产批次的严格设计限制。这些器件的设计旨在实现最小失调电压和差分热响应,可用于+0.1V至+10V(±0.05V至±5V)供电系统中的开关和放大应用,这些系统需要低输入偏置电流、低输入电容和快速开关速度。当VGS> 0.00V时,器件表现出增强模式特性;而当VGS< 0.00V时,器件在亚阈值电压区域工作,表现出传统的耗尽模式特性,具有良好的关断和亚阈值电平控制,其工作方式与标准增强模式MOSFET相同。
ALD212900A/ALD212900具有高输入阻抗(2.5 x 10^10Ω)和高直流电流增益(>10^8)。在25°C下,当漏极输出电流为30mA,输入电流为300pA时,直流电流增益的示例计算为30mA / 300pA = 100,000,000,这意味着动态工作电流范围约为八个数量级。
