商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 43A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 210mΩ@10V,21.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 780W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@5mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 372nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 320pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 1.76nF |
商品特性
- 先进沟槽工艺技术
- 专为开关负载、PWM应用等特别设计
- 静电放电防护达2KV人体模型（HBM）
- 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品
- 符合IEC61249标准的绿色模塑料（无卤素）