APT58M80J
1个N沟道 耐压:800V 电流:60A
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT58M80J
- 商品编号
- C17275668
- 商品封装
- SOT-227
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 43.536克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V,43A | |
| 耗散功率(Pd) | 960W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 570nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 17.55nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 300pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.745nF |
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