温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
H11D1-X007T
带基极连接、高BVcEo电压的光电晶体管输出光耦合器
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- H11D1-X007T
- 商品编号
- C17273383
- 商品封装
- SMD-6P
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.67克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶体管输出光耦 | |
| 输入类型 | DC | |
| 输出类型 | 光电三极管 | |
| 正向压降(Vf) | 1.2V | |
| 输出电流 | 50mA | |
| 隔离电压(Vrms) | 5kV | |
| 直流反向耐压(Vr) | 6V | |
| 负载电压 | 300V | |
| 输出通道数 | 1 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 250mV@10mA,0.5mA | |
| 上升时间(tr) | 4us | |
| 下降时间 | 5us | |
| 工作温度 | 55℃~+100℃ | |
| 电流传输比(CTR)最小值 | 20% | |
| 电流传输比(CTR)最大值/饱和值 | - | |
| 正向电流(If) | 60mA | |
| 功能特性 | - |
商品概述
H11Dx 具有一个砷化镓（GaAs）红外发射二极管发射器，该发射器与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并采用塑料 DIP - 6 封装。 它具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。 该耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。
商品特性
- 极高的集电极 - 发射极击穿电压 BVCEO = 300 V
- 隔离测试电压：5000 VRMS
- 低耦合电容
- 高共模瞬态抗扰度
应用领域
- 电信
- 工业控制
- 电池供电设备
- 办公设备
- 可编程控制器
- 3QHM572D0.25-68.100
- 547AAA002462ACGR
- 1301470285
- 628-M15-222-LT2
- IPL1-103-01-L-D-RE1-K
- PS45-10MA1BR10K
- SG-8018CE 164.3555M-TJHPA0
- R570423000
- SIT8208AI-G3-18E-30.000000T
- L130-4090HA30000B7
- MOLC-140-02-L-Q-LC-P-TR
- 25QHM53C0.5-36.864
- ZSS-118-01-L-D-540
- 628-17W2222-4N1
- 9001SKR3BH13
- 0705430056
- 4301.0024
- JANS1N5807US/TR
- 25QHM572C0.25-125.000
- CTCDRH127F-681N
- SIT1602BC-11-25E-77.760000