- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FP50R12N2T7B11BPSA2
FP50R12N2T7B11BPSA2
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- FP50R12N2T7B11BPSA2
- 商品编号
- C17269623
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 20mW | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 50A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 100A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.5V；1.72V；1.64V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 920nC@600V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 11.1nF@25V | |
| 输出电容(Coes) | - | |
| 反向传输电容(Cres) | 39pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 62ns；61ns；59ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 420ns；290ns；380ns | |
| 导通损耗(Eon) | 7.72mJ；5.07mJ；6.76mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 3.37mJ；5.31mJ；6.58mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- 电气特性：集电极 - 发射极电压（Vces）为1200V；额定集电极电流（Ic nom）为50A，集电极重复峰值电流（Icrm）为100A；采用TRENCHSTOP IGBT7；低饱和压降（VCEsat）；可在高达175℃的过载条件下运行
- 机械特性：高功率和热循环能力；集成NTC温度传感器；铜基板；低热阻的Al₂O₃基板；PressFIT接触技术
应用领域
辅助逆变器、电机驱动器、伺服驱动器
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