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DF80R12W2H3FB11
1.2kV 20A
- 描述
- 特性：CoolSiC Schottky二极管第5代。 高速IGBT H3。 低开关损耗。 3 kV AC 1min绝缘。 Al₂O₃基板，低热阻。 集成NTC温度传感器。应用：太阳能应用
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- DF80R12W2H3FB11
- 商品编号
- C17271226
- 商品封装
- 插件,62.8x56.7mm
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 20A | |
| 耗散功率(Pd) | 20mW | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 450A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.75V@20A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V@1.00mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 0.32uC | |
| 输入电容(Cies) | 2.35nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 25ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 250ns | |
| 导通损耗(Eon) | 260uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 800uJ | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| 反向传输电容(Cres) | 0.13nF |
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