ILD1206T
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶体管输出光耦 | |
| 输入类型 | DC | |
| 输出类型 | 光电三极管 | |
| 正向压降(Vf) | 1.2V | |
| 输出电流 | 2.5mA | |
| 隔离电压(Vrms) | 3.333kV | |
| 直流反向耐压(Vr) | 6V | |
| 负载电压 | 70V | |
| 输出通道数 | 2 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 400mV@10mA,10mA | |
| 上升时间(tr) | 5us | |
| 下降时间 | 4us | |
| 工作温度 | -55℃~+110℃ | |
| 电流传输比(CTR)最小值 | 63% | |
| 电流传输比(CTR)最大值/饱和值 | 125% | |
| 总功耗(Pd) | 300mW | |
| 正向电流(If) | 30mA |
商品概述
100%额定的ILD1206T和ILD1207T是光耦合对，由砷化镓红外LED和硅NPN光电晶体管组成。该器件可传输包括直流电平在内的信号信息，同时在输入和输出之间保持高度的电气隔离。 ILD1206T和ILD1207T采用标准的SOIC - 8小外形封装，适用于表面贴装，非常适合空间有限的高密度应用。除了无需通孔外，该封装还符合表面贴装器件的标准。 规定的最小和最大电流传输比（CTR）可使相邻电路的电气设计公差范围较窄。70 V的高集电极 - 发射极击穿电压（BVCEO）与30 V的行业标准相比，提供了更高的安全裕度。
商品特性
- 双通道耦合器
- SOIC - 8表面贴装封装
- 标准引脚间距0.05"
- 仅提供卷带包装（符合EIA标准481 - 2）
- 隔离测试电压4000 VRMS
- 兼容双波峰焊、气相焊和红外回流焊
- 工作温度范围为 - 55 ℃至 +110 ℃
- 无铅（Pb）元件
应用领域
- 交流适配器
- 可编程逻辑控制器（PLCs）
- 开关模式电源
- 直流/直流转换器
- 微处理器输入/输出接口
- 通用阻抗匹配电路
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