ISL6530CRZ

ISL6530为针对高性能DDRAM内存应用优化的双路DC-DC转换器提供全面的控制和保护。它旨在驱动同步整流降压拓扑中的低成本N沟道MOSFET，以高效生成2.5V的VDDQ为DDRAM内存供电、生成VREF用于DDRAM差分信号传输，以及生成VTT用于信号端接。ISL6530将所有控制、输出调节、监控和保护功能集成到单个封装中。 转换器的VDDQ输出通过集成的精密电压基准保持在2.5V。VREF输出被精确调节为内存电源的1/2，在温度和线电压变化时最大公差为±1%。VTT精确跟踪VREF。在V2_SD睡眠模式下，VTT输出由低功耗窗口稳压器维持。 ISL6530提供简单的单反馈环路电压模式控制，具有快速瞬态响应。它包含两个锁相的300kHz三角波振荡器，相位相差90°，以最小化两个PWM稳压器之间的干扰。稳压器采用具有15MHz增益带宽积和6V/μs压摆率的误差放大器，可实现高转换器带宽，以实现快速瞬态性能。由此产生的PWM占空比范围为0%至100%。 ISL6530通过抑制PWM操作来防止过流情况。ISL6530通过使用上MOSFET的rDS(ON)来监控VDDQ稳压器中的电流，从而无需使用电流检测电阻。

• 为单通道和双通道DDRAM内存系统提供VDDQ、VREF和VTT电压
• 出色的电压调节能力 - 在整个工作范围内，VDDQ = 2.5V ± 2% - 在整个工作范围内，VREF = (VDDQ ÷ 2) ± 1% - VTT = VREF ± 30mV
• 支持“S3”睡眠模式 - 通过低功耗窗口稳压器将VTT保持在VDDQ ÷ 2，以最小化唤醒时间
• 快速瞬态响应 - 占空比范围为0%至100%
• 采用+5V输入供电
• VDD上的过流故障监控 - 无需额外的电流检测元件 - 使用MOSFET的rDS(ON)
• 驱动低成本N沟道MOSFET
• 转换器尺寸小 - 300kHz固定频率振荡器
• 24引脚SOIC或32引脚5mm × 5mm QFN封装
• 提供无铅产品（符合RoHS标准）

• DDRAM内存系统的VDDQ、VTT和VREF调节 - 基于AMD Athlon和K8、奔腾III、奔腾IV、全美达、PowerPC、AlphaPC和UltraSparc的计算机系统中的主内存 - 图形系统中的视频内存
• 高功率跟踪DC-DC稳压器