温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶体管输出光耦 | |
| 输入类型 | DC | |
| 输出类型 | 光电三极管 | |
| 正向压降(Vf) | 1.2V | |
| 输出电流 | 50mA | |
| 隔离电压(Vrms) | 5kV | |
| 直流反向耐压(Vr) | 6V | |
| 负载电压 | 300V | |
| 输出通道数 | 1 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 250mV@10mA,0.5mA | |
| 上升时间(tr) | 4us | |
| 下降时间 | 5us | |
| 工作温度 | -55℃~+100℃ | |
| 电流传输比(CTR)最小值 | 20% | |
| 电流传输比(CTR)最大值/饱和值 | - | |
| 正向电流(If) | 60mA | |
| 功能特性 | - |
商品概述
H11Dx 具有一个砷化镓（GaAs）红外发射二极管发射器，该发射器与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并采用塑料 DIP - 6 封装。 它具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。 该耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。
商品特性
- 极高的集电极 - 发射极击穿电压 BVCEO = 300 V
- 隔离测试电压：5000 VRMS
- 低耦合电容
- 高共模瞬态抗扰度
应用领域
- 电信
- 工业控制
- 电池供电设备
- 办公设备
- 可编程控制器
- XHP50D-H0-0000-0D0BJ20E3
- 570EAB000488DG
- DS28E38EVKIT#
- SIT1602BI-12-XXE-28.636300
- 1510634204
- SIT9365AI-1B3-30N159.375000
- RSF2B-183-JTW
- SI8235AD-AS
- 1323G2-BK
- WPSCDS190D
- SG-8018CB 121.3056M-TJHSA0
- RTS014DCG
- 3090R-103H
- CLA1B-MKW-XD0F0A73
- SIT8208AI-32-33S-72.000000
- 1-6609943-6
- MTGBEZ-01-0000-0X0UE027H
- SFP-SDA-GE-S10K-C
- 5500204F
- 3443R-92K
- 480-10-264-00-001000