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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTE65
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 30mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 15V | |
| 耗散功率(Pd) | 180mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 25 | |
| 特征频率(fT) | 5GHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 50nA | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 3V | |
| 数量 | 1个NPN |
商品概述
NTE65是一款硅NPN晶体管，主要设计用于高增益、低噪声、小信号放大器，也可用于需要快速开关时间的应用。
商品特性
- 高电流增益带宽积
- 低噪声系数
- 高功率增益
- 5511301F
- SG-8018CG 26.7000M-TJHSA0
- SIT8208AI-2F-33E-33.000000X
- GCM1885G2A751FA16J
- RD9S100V5X
- ESH2C-M3/5BT
- JANS1N5619/TR
- MS27501Z19A
- 600H005-19RB
- 621-025-260-535
- SG-8018CG 146.5200M-TJHPA0
- M85049/95-32A-A
- HM6-6617B-9
- DF22R-3P-7.92DS(53)
- CE3291-75.000
- IMB5AT108
- SG-8018CB 28.2244M-TJHSA0
- IPT1-115-08-L-D
- 057-3262-000
- SIT9120AI-2B1-XXE74.250000
- 620AS008-10W