NTE65
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 30mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 15V | |
| 耗散功率(Pd) | 180mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 25 | |
| 特征频率(fT) | 5GHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 50nA | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 3V | |
| 数量 | 1个NPN |
商品概述
NTE65是一款硅NPN晶体管，主要设计用于高增益、低噪声、小信号放大器，也可用于需要快速开关时间的应用。
商品特性
- 高电流增益带宽积
- 低噪声系数
- 高功率增益
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