HM6-6617B-9

2KX8 CMOS PROM

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品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: HM6-6617B-9
商品编号: C17261060
商品封装: SBDIP-24
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

HM-6617是一款16384位熔丝型CMOS PROM，存储格式为2K字×8位/字，带有三态输出。该PROM提供多种封装可选:标准0.600英寸宽24引脚SBDIP、0.300英寸宽slimline SBDIP，以及JEDEC标准32焊盘CLCC。HM-6617采用同步设计技术，包含片上地址锁存器和独立的输出使能控制，因此非常适合采用新一代微处理器的应用。该设计技术结合先进的自对准硅栅CMOS工艺技术，可实现超低待机电流。低ICCSB非常适合电池应用或其他具有低功耗要求的系统。NiCr熔丝技术用于该器件以及其他CMOS PROM，可为用户提供在全工业温度电压范围内具备永久、稳定存储特性的PROM。NiCr熔丝技术结合CMOS的低功耗特性，是标准双极型PROM或NMOS EPROM的出色替代方案。所有位出厂时存储逻辑"0"，可在任意位位置选择性编程为逻辑"1"。

商品特性

低待机功耗与低工作功耗
快速存取时间
业界标准引脚分配
单5.0V供电
输入兼容CMOS/TTL
高输出驱动，可驱动12个LSTTL负载
同步工作
片上集成地址锁存器
独立输出使能

应用领域

搭载新一代微处理器的应用
电池应用
具有低功耗要求的系统

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	非易失性存储器(ROM)
	接口类型	并口(Parallel)
	存储器构架(格式)	PROM
	存储容量	-

	属性	参数值
	工作电压	4.5V~5.5V
	工作温度	-55℃~+125℃
	功能特性	-