SSM6P35AFE,LF
2个P沟道 耐压:20V 电流:250mA
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM6P35AFE,LF
- 商品编号
- C17259411
- 商品封装
- SOT-563(SOT-666)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 250mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20Ω@1.2V | |
| 耗散功率(Pd) | 250mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 42pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在将导通电阻 RDS(on) 降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 1.2 V驱动
- 低漏源导通电阻:VGS = -1.2 V时,RDS(ON)=3.2 Ω(典型值)
- 低漏源导通电阻:VGS = -1.5 V时,RDS(ON)=2.3 Ω(典型值)
- 低漏源导通电阻:VGS = -1.8 V时,RDS(ON)=2.0 Ω(典型值)
- 低漏源导通电阻:VGS = -2.5 V时,RDS(ON)=1.5 Ω(典型值)
- 低漏源导通电阻:VGS = -4.5 V时,RDS(ON)=1.1 Ω(典型值)
应用领域
- 模拟开关
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