TPS22968Q1EVM

TPS22968/68N - Q1器件包含两个N沟道MOSFET，可在0.8 V至5.5 V的输入电压范围内工作，每个通道可支持高达4 A的最大连续电流。每个开关由一个开/关输入（ON1、ON2）独立控制，该输入能够直接与低压GPIO控制信号接口。在TPS22968 - Q1中，添加了一个260 Ω的片上负载电阻，用于在开关关闭时快速输出放电（QOD）。在TPS22968N - Q1中，当器件禁用时，输出处于浮空状态。该器件的上升时间由内部控制，以避免浪涌电流，并可通过CTx引脚上的陶瓷电容进行调节。TPS22968 - Q1采用节省空间的2 mm x 3 mm 10引脚SON封装，带有集成散热垫，可实现高功率耗散。0.5 mm的引脚间距、可焊侧翼和扩展的温度范围使TPS22968/68N - Q1非常适合汽车应用。可以使用TPS22968Q1EVM模块评估TPS22968 - Q1器件，使用TPS22968NQ1EVM评估TPS22968N - Q1。使用EVM，TPS22968/68N - Q1双负载开关器件可以配置为双开关配置或并联开关配置。

• 可配置上升时间的外部电容
• EVM可配置为单开关或并联开关配置
• 连接到VIN、VOUT、VBIAS、ON引脚的连接点，以及用于精确测量VIN和VOUT电压的SENSE连接
• 提供高电流连接端子，用于4 A最大连续开关电流操作
• VIN输入电压范围：0.8 V至5.5 V
• VBIAS电压范围：2.5 V至5.5 V

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