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NXH200B100H4F2SG引脚图
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  • 焊盘图

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NXH200B100H4F2SG

NXH200B100H4F2SG

品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NXH200B100H4F2SG
商品编号
C17256350
商品封装
PIM-36(56.7x48)​
包装方式
托盘
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录IGBT管/模块
IGBT类型FS(场截止)
耗散功率(Pd)93W
集射极击穿电压(Vces)1kV
集电极电流(Ic)100A
集电极脉冲电流(Icm)300A
集电极截止电流(Ices)-
集射极饱和电压(VCE(sat))1.8V
栅极阈值电压(Vge(th))2.4V@15V,100A
栅极电荷量(Qg)326nC@600V
属性参数值
输入电容(Cies)6.523nF@20V
输出电容(Coes)253pF
反向传输电容(Cres)26pF
开启延迟时间(Td(on))-
关断延迟时间(Td(off))-
导通损耗(Eon)570uJ
关断损耗(Eoff)960uJ
反向恢复时间(Trr)-
工作温度-40℃~+150℃@(Tj)

商品概述

NXH200B100H4F2SG是一款功率模块,包含高性能IGBT和耐用的反并联二极管,该模块还包含一个板载热敏电阻。

商品特性

  • 采用带场截止技术的高效沟槽工艺
  • 低开关损耗,降低系统功耗
  • F2封装,带焊针

应用领域

  • 太阳能逆变器
  • 不间断电源

数据手册PDF