商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 其他模块 | |
| 类型 | 电源管理 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 热保护 |
商品概述
STDRIVEG600是一款高速半桥栅极驱动器，经过优化可驱动高压N沟道功率MOSFET或增强型GaN HEMT。它具有集成的自举二极管，允许为高达20V的外部开关供电。EVSTDRIVEG600DM板易于使用，可快速适配，用于评估STDRIVEG600驱动带有快速恢复二极管的600V MDmesh DM2功率MOSFET的特性。它提供了一个板载可编程死区时间发生器和一个3.3V线性稳压器，为微控制器等外部逻辑控制器供电。还包含备用焊盘，可根据最终应用定制电路板，例如单独的输入信号或单PWM信号、使用可选的外部自举二极管、为VCC、PVCC或BOOT单独供电，以及在峰值电流模式拓扑中使用低端分流电阻。EVSTDRIVEG600DM尺寸为54×88mm，采用FR - 4 PCB，在静止空气中热阻Rth(J - A)为20℃/W。
商品特性
- 采用600V STDRIVEG600栅极驱动器的半桥拓扑
- 配备115mΩ、600V MDmesh DM2功率MOSFET STL33N60DM2，带有快速恢复二极管
- 功率MOSFET采用PowerFLAT 8×8 HV封装，带有Kelvin源极，或可选DPAK封装
- 高压总线高达450V（受电容额定值限制）
- 栅极驱动器电源电压为4.75至20V
- 板载可调死区时间发生器，可将单PWM信号转换为独立的高端和低端死区时间
- 也可使用带外部死区时间的分离输入
- 板载3.3V稳压器，为外部电路供电
- 结到环境热阻为20℃/W，可评估大功率拓扑
- 可选低端分流器
- 符合RoHS标准