商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 280mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 445W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 2.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 125pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共源 | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 250pF |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC-Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景：负载开关、电源管理功能、便携式电源适配器。
商品特性
- 低成本共源射频封装。
- 低阈值电压(Vth)温度系数。
- 低热阻。
- 优化的安全工作区(SOA),具备出色的耐用性。
应用领域
- 科学领域射频功率放大器应用
- 商业领域射频功率放大器应用
- 医疗领域射频功率放大器应用
- 工业领域射频功率放大器应用
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