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APTM50DHM38G实物图
  • APTM50DHM38G商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

APTM50DHM38G

2个N沟道 耐压:500V 电流:90A

商品型号
APTM50DHM38G
商品编号
C17254972
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)500V
连续漏极电流(Id)90A
导通电阻(RDS(on))45mΩ@10V
耗散功率(Pd)694W
阈值电压(Vgs(th))5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)11.2nF
反向传输电容(Crss)180pF
工作温度-40℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)2.4nF

商品概述

这款新一代MOSFET旨在最大限度降低导通电阻(RSS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。

商品特性

  • 功率 MOS 7 个 MOSFET
  • 低导通电阻(RDSon)
  • 低输入电容和米勒电容
  • 低栅极电荷
  • 雪崩能量额定
  • 坚固耐用
  • 开尔文源极,便于驱动
  • 极低杂散电感
  • 对称设计
  • M5 功率连接器
  • 高度集成

应用领域

  • 焊接转换器
  • 开关模式电源
  • 开关磁阻电机驱动器

数据手册PDF