APT33GF120B2RDQ2G
APT33GF120B2RDQ2G
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT33GF120B2RDQ2G
- 商品编号
- C17253479
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | NPT(非穿通型) | |
| 耗散功率(Pd) | 357W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 64A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 75A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.5V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 170nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 1.855nF | |
| 输出电容(Coes) | 230pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 110pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 14ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 185ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.315mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.515mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 350ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
快速绝缘栅双极晶体管(IGBT)是新一代高压功率IGBT。采用非穿通技术,快速IGBT与先进功率技术(APT)的续流超快恢复外延二极管(FRED)相结合,具有卓越的耐用性和快速开关速度。
商品特性
- 低正向压降
- 高频开关可达20kHz
- 具备反向偏置安全工作区(RBSOA)和短路安全工作区(SCSOA)额定值
- 超低泄漏电流
- 超快软恢复反并联二极管
- XPLAWT-00-0000-000BV20Z5
- XO6006
- SIT1602BC-71-XXN-38.400000
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- SIT1602BI-71-XXE-40.500000
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- 654V74A4I3T
- GBJ35JL-F
- SG-8018CE 24.8833M-TJHSA0
- L130-3590001400002
- ES1CWF-HF

