- 引脚图
- 焊盘图
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APT75GP120JDQ3
APT75GP120JDQ3
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT75GP120JDQ3
- 商品编号
- C17248744
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | PT(穿通型) | |
| 耗散功率(Pd) | 543W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极电流(Ic) | 128A | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.9V@15V,75A | |
| 输入电容(Cies) | 7.04nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
POWER MOS 7 IGBT是新一代高压功率IGBT。该IGBT采用穿通技术，非常适合许多高频、高压开关应用，并且针对高频开关模式电源进行了优化。
商品特性
- 低传导损耗
- 800V、20A条件下可50kHz运行
- 低栅极电荷
- 800V、44A条件下可20kHz运行
- 超快尾电流关断
- 反向偏置安全工作区额定
- 1054292108
- HCB1190-471L
- 628-025-222-063
- LCA400-00-6
- 314990737
- 627-5W1-224-7T6
- SG-8018CB 140.0000M-TJHSA0
- KN01P10KLH5
- 0713491015
- 3QHM572C0.125-133.333
- 0676-0-15-01-30-02-10-0
- 930DM/B
- 3QHM572D2.0-2.480
- MP1-L-0100-103-5%-ST
- 3QHM53D1.0-28.750
- NETV-SR711-L868EU
- CTSPI2D18F-1R5M
- SIT8209AI-83-18E-166.666600
- 627-13W3622-5N2
- 118-802EAJ-P01
- SIT8208AI-32-18E-32.768000