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APTM10DSKM19T3G实物图
APTM10DSKM19T3G商品缩略图

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APTM10DSKM19T3G

2个N沟道 耐压:100V 电流:70A

    商品型号
    APTM10DSKM19T3G
    商品编号
    C17247788
    包装方式
    袋装
    商品毛重
    1克(g)

    商品参数

    属性参数值
    商品目录场效应管(MOSFET)
    类型2个N沟道
    漏源电压(Vdss)100V
    连续漏极电流(Id)70A
    导通电阻(RDS(on))21mΩ@10V,35A
    属性参数值
    耗散功率(Pd)208W
    阈值电压(Vgs(th))4V
    栅极电荷量(Qg)200nC@10V
    输入电容(Ciss@Vds)5.1nF@25V
    工作温度-40℃~+150℃@(Tj)

    梯度价格

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