APTM10DSKM19T3G
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 2个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
连续漏极电流(Id) | 70A | |
导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@10V,35A |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
耗散功率(Pd) | 208W | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
栅极电荷量(Qg) | 200nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 5.1nF@25V | |
工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) |
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