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BLP10H603AZ

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品牌名称: Ampleon(安谱隆)
商品型号: BLP10H603AZ
商品编号: C17247433
商品封装: HVSON-12(4x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

ALD310700A/ALD310700高精度单片四通道P沟道MOSFET阵列采用ALD成熟的EPAD CMOS技术在工厂进行匹配。该器件有四通道版本，是EPAD匹配对MOSFET系列的成员。ALD310700A/ALD310700是广受欢迎的ALD110800A/ALD110800精密阈值器件的P沟道版本。这两个MOSFET系列共同实现了基于互补精密N沟道和P沟道MOSFET阵列的电路。 ALD310700A/ALD310700适用于低电压和低功耗小信号应用，具有精确的0.00V零阈值电压，这使得它能够设计出工作电压非常低的电路，例如使用< +0.5V电源的电路，此时电路在ALD310700A/ALD310700的阈值电压以下工作。这一特性还扩展了输入/输出信号的工作范围，特别是在极低工作电压环境中。使用这些低阈值精密器件，可以构建多级级联的电路，使其在极低的电源或偏置电压水平下工作。ALD310700A/ALD310700还具有高输入阻抗（2.5×10^10Ω）和高直流电流增益（>10^8）。 ALD310700A/ALD310700 MOSFET旨在实现器件电气特性的出色匹配。栅极阈值电压VGS(th)精确设置为0.00V ± 0.02V，典型失调电压仅为± 0.001V（1mV）。由于这些器件位于同一单片芯片上，它们还具有出色的温度跟踪特性。它们是广泛的精密模拟应用的通用设计组件，例如电流镜、匹配电路、电流源、差分放大器输入级、传输门和多路复用器的基本构建模块。这些器件在有限工作电压应用中也表现出色，例如极低电平的精密电压钳位。除了匹配对的电气特性外，每个单独的MOSFET都具有良好控制的制造特性，使用户能够依赖不同生产批次的严格设计限制。这些器件旨在提供最小的失调电压和差分热响应，它们还可用于-0.40V至-8.0V（±0.20V至±4.0V）供电系统中的开关和放大应用，这些系统需要低输入偏置电流、低输入电容和快速开关速度。这些器件具有良好控制的关断和亚阈值特性，其工作方式与标准增强型P沟道MOSFET相同。然而，栅极阈值电压的精度带来了两个关键的额外特性或工作特点。首先，在栅极阈值电压或以下（亚阈值区域），工作电流水平随栅极偏置电压呈指数变化。其次，电路可以在亚阈值区域以纳安级的偏置电流和纳瓦级的功耗进行偏置和工作。

商品特性

精密匹配的栅极阈值电压
精密失调电压（Vos）：ALD310700A：典型值1mV；ALD310700：典型值2mV
亚阈值电压工作
最低工作电压低于0.2V
最低工作电流低于1nA
微功耗运行
宽动态工作电流范围
指数工作电流范围
匹配的跨导和输出电导
匹配和跟踪的温度特性
严格的批次间参数控制
正、零和负VGS(th)温度系数偏置电流
低输入电容
低输入/输出泄漏电流

应用领域

0.5%精度的电流镜和电流源
低温度系数（<= 50ppm/°C）电流镜/源
能量收集电路
极低电压模拟和数字电路
备用电池电路和电源故障检测器
精密低电平电压钳位
低电平过零检测器
源极跟随器和缓冲器
精密电容式探头和传感器接口
精密电荷检测器和电荷积分器
分立差分放大器输入级
峰值检测器和电平转换器
高端开关和采样保持开关
精密电流倍增器
分立模拟开关/多路复用器
分立电压比较器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	漏源电压(Vdss)	104V
	连续漏极电流(Id)	-
	导通电阻(RDS(on))	9Ω@6V,105mA
	耗散功率(Pd)	-
	阈值电压(Vgs(th))	2.25V@3mA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	-
	输入电容(Ciss)	3.4pF
	反向传输电容(Crss)	0.03pF
	工作温度	-
	类型	-
	输出电容(Coss)	1.12pF