商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 78pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.3pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 30pF |
商品概述
一款适用于广播发射机和工业应用的200 W LDMOS射频功率晶体管。该晶体管适用于高频至1500 MHz的频率范围。该器件出色的耐用性和宽带性能使其非常适合数字应用。
商品特性
- 集成静电放电保护
- 出色的耐用性
- 高功率增益
- 高效率
- 卓越的可靠性
- 易于功率控制
- 符合关于有害物质限制(RoHS)的2002/95/EC指令
应用领域
- 高频至1500 MHz频率范围内的通信发射机应用
- 高频至1500 MHz频率范围内的工业应用
- SG-8018CE 32.5140M-TJHPA0
- GCM155L81H272MA37J
- 2-640454-7
- GCM1555G1HR30CA16D
- VUO25-14NO8
- 660-023NF13S12-01
- M85049/8-68W
- SIT9365AC-2B1-25N212.500000
- SIT1602BC-83-33E-4.000000
- SCRH124-8R2
- PCD8572
- 25QHM572D1.0-11.0592
- PD-1E-DC-9-UL
- EA TFT057-32ATS
- 629-11W1640-2T2
- 3-647106-3
- M85049/89-13G03
- SIT9122AI-2B1-XXS300.000000
- 0014563021
- SIT1602BC-72-30N-40.500000
- 6-103908-0