商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 2个PNP-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 晶体管类型 | PNP |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 68 | |
| 最小输入电压(VI(on)) | 1.4V@1mA,300mV | |
| 最大输入电压(VI(off)) | 300mV@100uA,5V | |
| 输出电压(VO(on)) | 300mV@10mA,500uA | |
| 输入电阻 | 10kΩ | |
| 电阻比率 | 4.7 |
商品特性
- 采用EMT、UMT或SMT封装的两个DTA114Y芯片。
- 660-032NF17S5-107
- VS-ST730C08L0
- SIT8208AC-3F-18E-40.000000X
- EPC9515
- SMS18PDH1NA
- BLU0603-2432-BT25W
- EVAL-ADGS5414SDZ
- L130-3080HE1400003
- SG-8018CB 16.3690M-TJHPA0
- SIT2001BI-S2-33S-52.500000
- 0444990075
- SQG32P3B161N-425.000M
- GCM1885G1H4R9DA16J
- XB4AB1
- SIT9120AI-1C2-33S74.250000
- 1-2308298-3
- 2068322402
- DCM-37P-NMBK52
- 516-038-000-255
- RCS1608F1020CS
- 621-M09-660-WT5