- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
EMA4T2R
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 2个PNP-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 晶体管类型 | PNP |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 100 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 输入电阻 | 13kΩ | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV | |
| 特征频率(fT) | 250MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 500nA |
商品特性
- 采用EMT、UMT或SMT封装的两个DTA114T芯片。
- 安装成本和面积可减半。
应用领域
- 逆变器
- 接口
- 驱动器
- CTCDRH125F-270M
- QSFP-100G-LR4-P-C
- MK-262-037-445-220S
- SI5338Q-B04172-GMR
- 1-103645-3
- FS300R17KE4
- MOS-AV162A-NT3IJ
- XG4M-5030-U
- 2910/BQA
- L135-3090SA35000P1
- G125-9643400
- SHF-110-01-L-D-TH-TR
- L135-3580SA35000P1
- LTMM-113-02-G-D
- AWVF004040154R7T00
- 25QHM572C1.5-16.667
- AS5600L-WL_EK_AB
- GCM1885G2A680JA16J
- SIT8209AI-82-18E-133.333333
- E52-P50AY D=6.4 NETU 2M
- T1M-05-GF-DV