NTE5492
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶闸管(可控硅)/模块 | |
| 可控硅类型 | 1个单向可控硅 | |
| 断态峰值电压(Vdrm) | 200V | |
| 通态电流(It) | 25A | |
| 通态峰值电压(Vtm) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 门极触发电流(Igt) | 2A | |
| 门极触发电压(Vgt) | 2V | |
| 保持电流(Ih) | - | |
| 工作温度 | -65℃~+125℃ |
商品概述
NTE5491至NTE5496是可控硅整流器,主要设计用于半波交流控制应用,如电机控制、加热控制、电源,或任何需要半波硅栅控固态器件的地方。
商品特性
- 玻璃钝化结和中心门极触发,实现更高的参数一致性和稳定性
- 阻断电压高达600伏
- 重复峰值断态阻断电压VRRM、VDRM:NTE5491为100V,NTE5492为200V,NTE5494为400V,NTE5496为600V
- 非重复峰值反向电压VRSM:NTE5491为150V,NTE5492为300V,NTE5494为500V,NTE5496为720V
- 均方根导通状态电流IT(RMS)(所有导通角)为25A
- 平均导通状态电流IT(AV)(Tc = +65°C)为16A
- 非重复峰值浪涌电流ITSM(一个周期,60Hz,前后为额定电流和电压)为150A
- 电路熔断考虑(Tj = -40°C至+125°C,t = 0至8.3ms),I²t为93A²s
- 峰值门极功率耗散PGM为5W
- 平均门极功率耗散PG(AV)为500mW
- 峰值正向门极电流IGT:NTE5491、NTE5492、NTE5494为2.0A,NTE5496为1.2A
- 工作结温范围TJ为 -65°C至+125°C
- 储存温度范围Tstg为 -65°C至+150°C
- 典型热阻,结到外壳RthJC为2°C/W
- 螺栓扭矩为30英寸·磅
- SIT1602BC-72-33N-12.000000
- 5710133102F
- DE09S364137LF
- SG-8018CG 85.501054M-TJHPA0
- SG-8018CE 134.217728M-TJHSA0
- 105-121H
- SBH41-NBPB-D10-SM-BK
- NTCG103EH470JT1
- DDM50SF179A-A197
- CC2630-000
- 11-201-004-0000
- GCM1885C1H9R9CA16D
- CWN-570-20-0021
- SG-8018CA 20.1416M-TJHSA0
- 3QHM572C0.125-135.000
- 160-300-JTW
- 09642227245
- TFM-140-02-S-D-LC-K
- CMB2550-0000-000N0H0A57G
- RCS2012F7873CS
- DDUK50P

