商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶闸管(可控硅)/模块 | |
| 可控硅类型 | 1个单向可控硅 | |
| 断态峰值电压(Vdrm) | 200V | |
| 通态电流(It) | 780A | |
| 通态峰值电压(Vtm) | 1.75V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 门极触发电流(Igt) | 150mA | |
| 门极触发电压(Vgt) | 3V | |
| 保持电流(Ih) | 600mA | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品特性
- NTE5590、NTE5591、NTE5592、NTE5597 可控硅整流器（SCR），470 安培，TO200AB 封装
- 重复峰值电压 VRRM、VDRM、VDSM：NTE5590 为 200V，NTE5591 为 600V，NTE5592 为 1200V，NTE5597 为 1600V
- 非重复峰值反向阻断电压 VRSM：NTE5590 为 300V，NTE5591 为 700V，NTE5592 为 1300V，NTE5597 为 1700V
- 平均导通状态电流（半正弦波）：$T_{hs}= +55^{\circ}C$（双面冷却）时为 470A，$T_{hs}= +85^{\circ}C$（单面冷却）时为 160A
- 均方根导通状态电流（$T_{hs}= +25^{\circ}C$，双面冷却）为 780A
- 连续导通状态电流（$T_{hs}= +25^{\circ}C$，双面冷却）为 668A
- 峰值单周期浪涌电流（10ms 持续时间，60% VRRM 重新施加）为 4650A
- 非重复导通状态电流（10ms 持续时间，$V_{R}\leq10V$）为 5120A
- 最大允许浪涌能量（$V_{R}\leq10V$）：10ms 持续时间为 131000A²s，3ms 持续时间为 97350A²s
- 峰值正向栅极电流（阳极相对于阴极正）为 19A
- 峰值正向栅极电压（阳极相对于阴极正）为 18V
- 峰值反向栅极电压为 5V
- 平均栅极功率为 2W
- 峰值栅极功率（100μs 脉冲宽度）为 100W
- 关断状态电压上升率（至 80% VDRM 栅极开路）为 200V/μs
- 导通状态电流上升率：重复为 500A/μs，非重复为 1000A/μs
- 工作温度范围为 -40°C 至 +125°C
- 储存温度范围为 -40°C 至 +150°C
- 热阻，结到散热器：双面冷却为 0.095°C/W，单面冷却为 0.190°C/W
- 峰值导通状态电压（$I_{TM}=840A$）为 1.75V
- 正向导通阈值电压为 0.92V
- 正向导通斜率电阻为 0.99mΩ
- 重复峰值关断状态电流（在 VDRM 时）为 20mA
- 重复峰值反向电流（在 VRRM 时）为 20mA
- 最大栅极电流（$V_{A}=6V$，$I_{A}=1A$，$T_{J}= +25^{\circ}C$）为 150mA
- 最大栅极电压（$V_{A}=6V$，$I_{A}=1A$，$T_{J}= +25^{\circ}C$）为 3V
- 最大保持电流（$V_{A}=6V$，$I_{A}=1A$，$T_{J}= +25^{\circ}C$）为 600mA
- 不会触发任何器件的最大栅极电压为 0.25V