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SIZF5300DT-T1-GE3
2个N沟道 耐压:30V 电流:125A
- 描述
- 特性：TrenchFET Gen V功率MOSFET。 对称双N沟道。 倒装芯片技术实现最佳热设计。 高端和低端MOSFET为50%占空比形成优化组合。 优化的RDS-Qg和RDS-Qg FOM提高高频开关效率。 100% Rg和UIS测试。应用：同步降压。 计算机/服务器外设
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIZF5300DT-T1-GE3
- 商品编号
- C17242909
- 商品封装
- PowerPAIR3x3FS
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 125A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.51mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 56.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.48nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共源 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 500pF |
商品特性
- TrenchFET第五代功率MOSFET
- 对称双N沟道
- 倒装芯片技术实现最优散热设计
- 高端和低端MOSFET针对50%占空比形成优化组合
- 优化的RDS - Qg和RDS - Qgd品质因数提升高频开关效率
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 同步降压
- 计算机/服务器外设
- 半桥
- 负载点电源(POL)
- 电信DC/DC
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