SQ4282EY-T1_BE3
2个N沟道 耐压:30V 电流:8A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQ4282EY-T1_BE3
- 商品编号
- C17246103
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.367nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 173pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 495pF |
商品概述
NPT1012B氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）是一款针对直流至4 GHz工作频率优化的功率晶体管。该器件支持连续波（CW）、脉冲和线性工作模式，输出功率可达25 W。这款晶体管采用行业标准的表面贴装塑料封装。
商品特性
- 沟槽式场效应功率 MOSFET
- 通过 AEC-Q101 认证
- 进行 100% Rg 和 UIS 测试
应用领域
- 陆地移动无线电
- 无线基础设施
- 工业、科学和医疗（ISM）频段
- VHF/UHF/L/S波段雷达
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