商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 124A | |
| 耗散功率(Pd) | 365W |
商品概述
0HM19T3AG 器件是一款全桥 700V、124A 碳化硅 (SiC) 功率器件。
商品特性
- SiC 功率 MOSFET：高速开关、低导通电阻 (RDS(on))、超低损耗
- 开尔文源极，便于驱动
- 极低的杂散电感
- 内置热敏电阻，用于温度监测
- 采用氮化铝 (AlN) 基板，提高热性能
- 高效转换器
- 高频运行时性能出色
- 功率和信号端子均可焊接，便于 PCB 安装
- 可直接安装到散热器上（隔离封装）
- 低结到外壳热阻
- 薄型设计
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 焊接转换器
- 开关模式电源
- 不间断电源
- 电动汽车电机和牵引驱动
相似推荐
其他推荐