商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 耗散功率(Pd) | 245W |
商品概述
MSCSM120HM50T3AG器件是一款全桥1200V、55A碳化硅(SiC)功率模块。所有额定值在结温TJ = 25°C时给出,除非另有说明。这些器件对静电放电敏感,必须遵循正确的处理程序。
商品特性
- SiC功率MOSFET:低导通电阻
- 高温性能
- 开尔文源极,便于驱动
- 极低的杂散电感
- 内置热敏电阻,用于温度监测
- 氮化铝(AlN)基板,提高热性能
- 高功率和高效率的转换器和逆变器
- 高频运行时表现出色
- 可直接安装到散热器(隔离封装)
- 低结壳热阻
- 功率和信号引脚均可焊接,便于PCB安装
- 薄型设计
- 符合RoHS标准
应用领域
- 焊接转换器
- 开关模式电源
- 不间断电源
- 电动汽车电机和牵引驱动
- 637-M44-230-BT2
- 660-008M10F4-01
- S50340
- SIT1602BC-23-28E-4.096000
- MX2N4861UB
- 1107254-14
- AT15-12PB-BM16
- SG-8018CG 22.5792M-TJHSA3
- SPMWHT541MP5WAUGS5
- L128-3580EA3500006
- 0713492014
- 513JBD000439BAG
- TSS-110-01-L-D-LL
- D25K75RE
- RN2511(TE85L,F)
- XQEBLU-H2-0000-000000201
- 1731130188
- ZSS-105-05-S-D-615
- SIT8208AC-33-25S-24.576000
- LCMC630-00-3
- S3440

