商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶体管输出光耦 | |
| 输入类型 | AC,DC | |
| 输出类型 | 光电三极管 | |
| 正向压降(Vf) | 1.1V | |
| 输出电流 | 50mA | |
| 隔离电压(Vrms) | 4.42kV | |
| 直流反向耐压(Vr) | - | |
| 负载电压 | 55V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输出通道数 | 1 | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 250mV@1mA,1.25mA | |
| 上升时间(tr) | 3.5us | |
| 下降时间 | 5us | |
| 工作温度 | -55℃~+100℃ | |
| 电流传输比(CTR)最小值 | 160% | |
| 电流传输比(CTR)最大值/饱和值 | 500% | |
| 正向电流(If) | 50mA |
商品概述
SFH628A（DIP）和 SFH6286（SMD）具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用 GaAs 红外发光二极管，与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP - 4 或 SMD 封装中。 这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。 耦合器引脚间距为 2.54 mm，可端部堆叠。选择选项 6 时，爬电距离和电气间隙大于 8 mm。此版本符合 IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，在 400 VRMS 或直流工作电压下具备加强绝缘性能。
商品特性
- 高共模干扰抗扰度
- 隔离额定电压 4420 VRMS，无铅
- 低耦合电容 e3
- 正向电流不同时，CTR 线性度良好，符合 RoHS 标准
- CTR 衰减小
- 集电极 - 发射极电压高，VCEO = 55 V
应用领域
- 电信
- 工业控制
- 电池供电设备
- 办公设备
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