嘉立创上市
购物车0
DS1270Y-70IND#引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DS1270Y-70IND#

16M非易失SRAM

商品型号
DS1270Y-70IND#
商品编号
C17229465
商品封装
EDIP-36​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

暂无内容图标

参数完善中

商品概述

DS1270 16M非易失性SRAM是16777216位全静态非易失性SRAM,组织结构为2097152字×8位。每片NV SRAM自带锂能源和控制电路,持续监测VCC是否出现超出容差的情况。当该情况发生时,锂能源会自动接通,无条件启用写保护以防止数据损坏。可执行的写周期数量没有限制,微处理器接口无需额外支持电路。

商品特性

  • 无外部电源情况下数据保留时间最低5年
  • 掉电期间数据自动保护
  • 无限次写循环
  • 低功耗CMOS工作
  • 读写访问时间为70 ns
  • 首次通电前锂能源电气断开以保持能源新鲜度
  • DS1270Y支持全±10% VCC工作范围
  • DS1270AB可选±5% VCC工作范围
  • 可选工业温度范围为-40℃至+85℃,标记为IND

数据手册PDF