DS1270Y-70IND#
16M非易失SRAM
- 商品型号
- DS1270Y-70IND#
- 商品编号
- C17229465
- 商品封装
- EDIP-36
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
DS1270 16M非易失性SRAM是16777216位全静态非易失性SRAM,组织结构为2097152字×8位。每片NV SRAM自带锂能源和控制电路,持续监测VCC是否出现超出容差的情况。当该情况发生时,锂能源会自动接通,无条件启用写保护以防止数据损坏。可执行的写周期数量没有限制,微处理器接口无需额外支持电路。
商品特性
- 无外部电源情况下数据保留时间最低5年
- 掉电期间数据自动保护
- 无限次写循环
- 低功耗CMOS工作
- 读写访问时间为70 ns
- 首次通电前锂能源电气断开以保持能源新鲜度
- DS1270Y支持全±10% VCC工作范围
- DS1270AB可选±5% VCC工作范围
- 可选工业温度范围为-40℃至+85℃,标记为IND
- AX3DBF1-100.0000T
- TFM-106-01-L-D-RE2-WT
- 638P15556C2T
- EHF-110-01-FM-D-SM-P
- 62003
- TFM-115-12-S-D-LC-P-TR
- D89116-0101HK
- SG-8018CB 50.3433M-TJHPA0
- 0438796039
- XPLBWT-00-0000-000UU550G
- GCM188L81H471MA03D
- FLP5V12.0-SR
- TFM-135-22-F-D-A
- SG-8018CE 144.9750M-TJHSA0
- SG-8018CE 9.843750M-TJHPA0
- L130-6570003000X24
- APT75GN60BG
- SIT8256AC-2F-18E-156.253906X
- RC0603F2493CS
- GCM21A5C2J220JX01D
- RC0402F41R2CS


