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SSM6P40TU,LF

2个P沟道耐压:30V 电流:1.4A

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描述: 特性：4.0V驱动P沟道，2合1。低导通电阻：Ron = 403mΩ（最大值）（VGS =-4V）。低导通电阻：Ron = 226mΩ（最大值）（VGS =-10V）。应用：电源管理开关应用。高速开关应用
品牌名称: TOSHIBA(东芝)
商品型号: SSM6P40TU,LF
商品编号: C17219850
商品封装: SMD-6P
包装方式: 编带
商品毛重: 0.059克(g)

商品参数

商品概述

国际整流器公司（International Rectifier）的第五代HEXFET采用先进的加工技术，以实现每单位硅片面积尽可能低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计师提供了一种极其高效的器件，可用于各种应用。 SO - 8封装通过定制引线框架进行了改进，以增强热特性和多芯片封装能力，使其非常适合各种功率应用。通过这些改进，在应用中使用多个器件时可显著减少电路板空间。该封装设计适用于气相、红外或波峰焊接技术。在典型的PCB安装应用中，功率耗散可超过0.8W。

商品特性

电源管理开关应用
高速开关应用
4.0 V 驱动
P 沟道,二合一
低导通电阻:Ron = 403 mΩ(最大值)(@VGS = -4 V)
Ron = 226 mΩ(最大值)(@VGS = -10 V)

应用领域

-电源管理开关应用-高速开关应用

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	2个P沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	1.4A
	导通电阻(RDS(on))	403mΩ@4V
	耗散功率(Pd)	500mW

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	2V
	栅极电荷量(Qg)	2.9nC@10V
	输入电容(Ciss)	120pF
	工作温度	-
	类型	P沟道