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SSM6N68NU,LF

耐压:30V 电流:4A

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描述: 特性：AEC-Q101合格。 1.8V栅极驱动电压。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 84mΩ（最大值）(@VGS = 4.5V)；RDS(ON) = 117mΩ（最大值）(@VGS = 2.5V)；RDS(ON) = 180mΩ（最大值）(@VGS = 1.8V)。应用：电源管理开关。 DC-DC转换器
品牌名称: TOSHIBA(东芝)
商品型号: SSM6N68NU,LF
商品编号: C17224263
商品封装: UDFN-6(2x2)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.062克(g)

商品参数

商品概述

ALD110808A/ALD110808/ALD110908A/ALD110908是高精度单片四/双增强型N沟道MOSFET，采用ALD成熟的EPAD® CMOS技术在工厂进行匹配。这些器件适用于低电压、小信号应用。

这些MOSFET器件构建在同一单芯片上，因此具有出色的温度跟踪特性。它们作为电路元件用途广泛，是众多模拟应用中实用的设计组件。它们是电流源、差分放大器输入级、传输门和多路复用器应用的基本构建模块。对于大多数应用，将V+引脚连接到系统中最高正电压，将V-和IC引脚连接到系统中最低负电压。所有其他引脚的电压必须始终在这些电压限制范围内。

ALD110808/ALD110908器件针对最小失调电压和差分热响应进行设计，适用于+1.0V至+10V（±5V）系统中的开关和放大应用，这些应用需要低输入偏置电流、低输入电容和快速开关速度。由于这些是MOSFET器件，它们在低频或接近直流的工作环境中具有非常大（几乎无限大）的电流增益。

这些器件适用于需要非常高电流增益β的精密应用，如电流镜和电流源。场效应晶体管的高输入阻抗和高直流电流增益源于控制栅极极低的电流损耗。直流电流增益受栅极输入泄漏电流限制，室温下规定为30pA。例如，在25°C时，漏极电流为3mA且输入泄漏电流为30pA的器件的直流β值 = 3mA / 30pA = 100,000,000。

商品特性

通过 AEC-Q101 认证
1.8 V 栅极驱动电压
低漏源导通电阻:RDS(ON) = 84 mΩ(最大值)(@ VGS = 4.5 V)
RDS(ON) = 117 mΩ(最大值)(@ VGS = 2.5 V)
RDS(ON) = 180 mΩ(最大值)(@ VGS = 1.8 V)

应用领域

电源管理开关
DC-DC 转换器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	4A
	导通电阻(RDS(on))	180mΩ@1.8V
	耗散功率(Pd)	1W
	阈值电压(Vgs(th))	1V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	1.8nC@4.5V
	输入电容(Ciss)	129pF
	反向传输电容(Crss)	13pF
	工作温度	-
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	34pF