- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
APT15GN120BDQ1G
APT15GN120BDQ1G
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT15GN120BDQ1G
- 商品编号
- C17218346
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 195W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 45A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 45A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.7V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 1.2nF | |
| 输出电容(Coes) | 65pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 50pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 10ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 150ns | |
| 导通损耗(Eon) | 410uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 950uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 240ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这些IGBT采用了最新的场截止和沟槽栅技术，具有极低的VCE(ON)，非常适合需要极低传导损耗的低频应用。由于参数分布非常紧密且VCE(ON)温度系数略为正，因此易于并联。低栅极电荷简化了栅极驱动设计并将损耗降至最低。
商品特性
- 1200V场截止
- 沟槽栅：低VCE(on)
- 易于并联
应用领域
焊接、感应加热、太阳能逆变器、开关电源、电机驱动、不间断电源
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