APT100GN120J
APT100GN120J
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT100GN120J
- 商品编号
- C17219018
- 商品封装
- SOT-227B-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 43.53556克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 446W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极电流(Ic) | 153A | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 输入电容(Cies) | 6.5nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这些IGBT采用了最新的场截止和沟槽栅极技术，具有极低的VCE(ON)，非常适合需要极低传导损耗的低频应用。由于参数分布非常紧密且VCE(ON)温度系数略为正，因此易于并联。内置栅极电阻确保即使在短路故障时也能实现极其可靠的运行。低栅极电荷简化了栅极驱动设计并将损耗降至最低。
商品特性
- 1200V场截止
- 沟槽栅极：低VCE(on)
- 易于并联
- 集成栅极电阻：低电磁干扰，高可靠性
应用领域
焊接、感应加热、太阳能逆变器、开关电源、电机驱动、不间断电源