- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
APT100GN120J
APT100GN120J
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT100GN120J
- 商品编号
- C17219018
- 商品封装
- SOT-227B-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 43.53556克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 446W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 153A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 300A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.7V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 540nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 6.5nF@25V | |
| 输出电容(Coes) | 365pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 280pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 50ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 615ns | |
| 导通损耗(Eon) | 11mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 9.5mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这些IGBT采用了最新的场截止和沟槽栅极技术，具有极低的VCE(ON)，非常适合需要极低传导损耗的低频应用。由于参数分布非常紧密且VCE(ON)温度系数略为正，因此易于并联。内置栅极电阻确保即使在短路故障时也能实现极其可靠的运行。低栅极电荷简化了栅极驱动设计并将损耗降至最低。
商品特性
- 1200V场截止
- 沟槽栅极：低VCE(on)
- 易于并联
- 集成栅极电阻：低电磁干扰，高可靠性
应用领域
焊接、感应加热、太阳能逆变器、开关电源、电机驱动、不间断电源
- 629-8W8-240-1ND
- TFM-108-02-H-D
- 622-M09-260-LT3
- JK3030AWT-P-U50EB0000-N0000001
- SIT8208AI-3F-28E-33.333300Y
- GCM188R91E683KA37J
- 653L15366A3T
- BAV20W-G3-18
- 511R-34F
- 290BX
- 0878340611
- SPMWHT327FD5GBV0S4
- SG-8018CE 24.3050M-TJHPA0
- 1510133216
- 570BAA000271DGR
- 3-103669-0
- ACPL-P343-060E
- SG-8018CB 18.2700M-TJHSA0
- CMB1304-0000-000N0H0A65G
- 630-13W3650-2TC
- SG-8018CE 9.4560M-TJHSA0