- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 2个PNP-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 晶体管类型 | - | |
| 直流电流增益(hFE) | 30 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | - | |
| 最小输入电压(VI(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大输入电压(VI(off)) | - | |
| 输出电压(VO(on)) | - | |
| 输入电阻 | - | |
| 电阻比率 | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | |
| 特征频率(fT) | 250MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | - |
商品特性
-外延平面芯片结构-提供互补NPN类型(DDC)-内置偏置电阻-完全无铅且完全符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件-符合AEC-Q101高可靠性标准
- 25SH-C-07-TR
- DAMD-3C3P-J-K87
- SXO75L3B481-156.250M
- S6006NS2TP
- 750313355
- CMB1304-R160-000F0U0A40H
- 2157917-1
- 3QHM572C1.0-42.000
- M85049/95-12B
- 4-1734598-3
- 25QHM53C2.0-83.330
- TSS-136-01-T-D
- 654C156A4C2T
- SG-8018CE 47.0000M-TJHSA0
- SG-8018CA 32.4864M-TJHPA0
- NDL26PFI-9MIT TR
- DDMMV47H1PN
- XMLBWT-02-0000-000LT30Z6
- BPDR00070740120T00
- 27913T9
- RM064PJ121CS