- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 1个NPN,1个PNP-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 56 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 外延平面芯片结构
- 内置偏置电阻
- 完全无铅且完全符合 RoHS 标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- S1M025T-19.200-X-R
- 625L3C024M00000
- EC2625ETTS-50.000M TR
- 621-009-260-516
- SG-8018CE 127.7610M-TJHPA0
- AWVS00606045330M00
- QTM750-22.000MDE-T
- RD25M100V5S
- SPMWH1228FD7WAWKSE
- L128-4080EA3500006
- XTEAWT-E1-0000-00000BKE2
- PRV6SAABJXB25103MA
- SG-8018CG 41.5000M-TJHSA0
- SIT8208AC-2F-33E-8.000000Y
- RS1ALHRUG
- SIT8208AI-GF-18E-3.570000Y
- SIT8208AI-G3-28S-33.333000T
- SJ6010VTP
- SG-8018CA 144.3450M-TJHSA0
- 151-10-648-00-010000
- JR5050BWT-K-U35EB0000-N0000001