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DMN2024UVTQ-7
2个N沟道 耐压:20V 电流:7A
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- 描述
- 这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC-Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景：背光照明、直流-直流转换器、电源管理功能。N沟道增强型MOSFET
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2024UVTQ-7
- 商品编号
- C17216292
- 商品封装
- TSOT-26
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04473克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 647pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 38pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 78pF |
商品概述
AON4803将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的 RDS(on)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 静电放电(ESD)保护栅极
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑,为“绿色”器件
- DMN2024UVTQ适用于需要特定变更控制的汽车应用;该产品符合AEC-Q101标准,具备PPAP能力,并在通过IATF 16949认证的工厂生产。
应用领域
-背光照明-DC-DC转换器-电源管理功能