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BSS138DWK-7
2个N沟道 耐压:50V 电流:310mA
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- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- BSS138DWK-7
- 商品编号
- C17217426
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 310mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.2Ω@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 490mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 800pC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 22pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 5pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
这款MOSFET旨在将导通电阻RDS(ON)降至最低,同时保持卓越的开关性能,非常适合用于高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 静电保护栅极
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
- 负载开关
- LTMM-106-01-L-D-SM-TR
- SG-8018CB 143.7500M-TJHSA0
- 629-7W2-240-4T4
- HG302A
- SG-8018CB 4.2944M-TJHPA0
- SG-8018CE 25.0020M-TJHPA0
- RC0402F1R07CS
- SG-8018CB 18.9375M-TJHPA0
- SG-8018CB 50.0220M-TJHPA0
- HCB1380-261H1
- MX3AWT-A1-0000-000BA7
- XTEAWT-02-0000-00000BE51
- TEM-135-02-03.0-H-D
- SG-8018CE 64.8100M-TJHPA0
- 4-794637-4
- BLU0805-4642-BT25W
- 103R-223K
- XPGBWT-L1-0000-00GE1
- S-1701E3328-U5T1G
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- 874371073