- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
APTGLQ40HR120CT3G
APTGLQ40HR120CT3G
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APTGLQ40HR120CT3G
- 商品编号
- C17213960
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 75A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 160A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.05V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 185nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 2.3nF@25V | |
| 输出电容(Coes) | 150pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 135pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 30ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 290ns | |
| 导通损耗(Eon) | 3.2mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.2mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 320ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
高速沟槽式场截止型IGBT4（Q1、Q2）：集电极-发射极额定电压V_CES = 1200V；集电极电流I_C = 40A，结温T_c = 80℃。沟槽式场截止型IGBT3（Q3、Q4）：集电极-发射极额定电压V_CES = 600V；集电极电流I_C = 50A，结温T_c = 80℃。
商品特性
- Q1、Q2高速沟槽式+场截止型IGBT4：低压降、低尾电流
- Q3、Q4沟槽式+场截止型IGBT3：低压降、低尾电流、开关频率高达20kHz
- SiC肖特基二极管（D3、D4）：零反向恢复、零正向恢复、温度无关的开关特性、正向电压具有正温度系数
- 开尔文发射极，便于驱动
- 极低的杂散电感
- 高度集成
- 内置热敏电阻用于温度监测
应用领域
太阳能转换器、不间断电源
- SIT1602BC-31-28E-4.000000
- LHD-09-TRB
- 151-80-320-00-003101
- 321-1279-C
- POLY-S163A-L915US
- SIT8208AC-21-28S-33.300000
- 0252-0-15-01-32-14-10-0
- 809-190-13G2-01
- 3QHM572C0.25-44.000
- 660-024M19S6-02
- SIT8008BC-33-25E-40.000000
- 1731090240
- SIT8008BC-83-33E-1.000000
- SIT1602BC-21-28E-30.000000
- UTSX7128P
- SIT1602BI-32-XXN-10.000000
- N3408-5003RB
- 3QHM53C2.0-100.000
- VG95234KT36
- 039-0243-000
- 3601-3-07-15-00-00-08-0