2SB808F-SPA
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 250mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 第三代芯片设计（内置碳化硅肖特基势垒二极管）
- 低二极管正向电压：VDSF = -1.35 V（典型值）
- 高电压：VDSS = 650 V
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 48 mΩ（典型值）
- 由于高阈值电压，不易发生故障：Vth = 3.0 至 5.0 V（VDS = 10 V，ID = 1.6 mA）
- 增强型模式
应用领域
- 低电压大电流放大器应用
- 低压3V (PO 120mW) ITL - OTL功率放大器
- D32S10A
- 25QHM53C0.5-12.500
- 4-643817-6
- SIT8008BI-73-33N-37.125000
- SIT8208AI-31-28S-33.000000
- SFP-17A-C
- 5223986-7
- 714-83-146-41-014101
- 3-643820-2
- 3233-2-00-01-00-00-08-0
- 19430065446
- SIT1602BC-72-30N-3.570000
- 1511174716
- 5962-9326501MCA
- 5690794807F
- E80-20
- LK204-25-USB-WB-E
- ISL90810UIU8Z
- 637-092NF1302
- SIT8209AC-83-28E-200.000000
- SIT1602BC-22-30N-77.760000