2SB808F-SPA
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 250mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 第三代芯片设计（内置碳化硅肖特基势垒二极管）
- 低二极管正向电压：VDSF = -1.35 V（典型值）
- 高电压：VDSS = 650 V
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 48 mΩ（典型值）
- 由于高阈值电压，不易发生故障：Vth = 3.0 至 5.0 V（VDS = 10 V，ID = 1.6 mA）
- 增强型模式
应用领域
- 开关稳压器