商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 2kW | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 770A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 36.6nF@25V | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | - | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | - | |
| 导通损耗(Eon) | - | |
| 关断损耗(Eoff) | - | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
相臂高速沟槽+场截止IGBT4功率模块,VCES = 650V,IC = 600A(@Tc = 60°C)
商品特性
- 高速沟槽+场截止IGBT 4技术
- 低压降
- 低漏电流
- 低开关损耗
- 软恢复并联二极管
- 低二极管VF
- RBSOA和SCSOA额定开尔文源,便于驱动
- 极低的杂散电感
- M5电源连接器
- 高集成度
- 用于温度监测的内部热敏电阻
应用领域
- 焊接转换器
- 开关模式电源
- 不间断电源
- 电机控制
- SIT8008BIF13-XXS-6.780000
- PLT30-32-130B
- 0504-0-00-01-00-00-03-0
- MDM-25SCBR-T
- EVSPIN32F06Q1S3
- BPI-3C1-10
- AT06-6S-SS01
- GP55-1432-FBW
- 3QHM572C1.0-11.000
- 1-200871-0
- 3230-2-00-15-00-00-08-0
- SIT9365AI-1B1-28N159.375000
- SIT9365AC-2B1-33N325.000000
- SIT1602BC-12-25S-74.175824
- 660-005N22R5-01
- PCM1862EVM
- SIT8021AI-J4-XXS-1.000000
- 1N3493R
- SIT9365AC-4B3-30N75.000000
- 25QHM53D0.25-68.100
- BLC2041

