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APTGLQ75H65T1G引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

APTGLQ75H65T1G

APTGLQ75H65T1G

商品型号
APTGLQ75H65T1G
商品编号
C17207782
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录IGBT管/模块
IGBT类型FS(场截止)
耗散功率(Pd)250W
集射极击穿电压(Vces)650V
集电极电流(Ic)75A
集电极脉冲电流(Icm)200A
集电极截止电流(Ices)-
集射极饱和电压(VCE(sat))-
栅极阈值电压(Vge(th))-
栅极电荷量(Qg)-
属性参数值
输入电容(Cies)4.62nF@25V
输出电容(Coes)160pF
反向传输电容(Cres)137pF
开启延迟时间(Td(on))-
关断延迟时间(Td(off))-
导通损耗(Eon)-
关断损耗(Eoff)-
反向恢复时间(Trr)-
工作温度-40℃~+175℃@(Tj)

商品概述

全桥高速沟槽 + 场截止 IGBT4 功率模块。VCES = 650V,IC = 75A(Tc = 60°C),引脚 3/4 必须短接在一起。

商品特性

  • 高速沟槽 + 场截止 IGBT 4 技术
  • 低压降
  • 低漏电流
  • 低开关损耗,RBSOA 和 SCSOA 额定
  • 极低的杂散电感
  • 高集成度
  • 内置用于温度监测的热敏电阻

应用领域

焊接转换器、开关模式电源、不间断电源、电机控制

数据手册PDF