商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极电流(Ic) | - | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 输入电容(Cies) | 4.62nF@25V | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
全桥高速沟槽 + 场截止 IGBT4 功率模块。VCES = 650V，IC = 75A（Tc = 60°C），引脚 3/4 必须短接在一起。
商品特性
- 高速沟槽 + 场截止 IGBT 4 技术
- 低压降
- 低漏电流
- 低开关损耗，RBSOA 和 SCSOA 额定
- 极低的杂散电感
- 高集成度
- 内置用于温度监测的热敏电阻
应用领域
焊接转换器、开关模式电源、不间断电源、电机控制
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